结晶干货4__工业结晶过程中成核的控制策略.pdf
《结晶干货4__工业结晶过程中成核的控制策略.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《结晶干货4__工业结晶过程中成核的控制策略.pdf(4页珍藏版)》请在启牛文库网上搜索。
1、结晶干货4|工业结晶过程中成核的控制策略结晶动力学晶体从溶液中析出的过程可分为晶核生成(成核又称晶核)和晶体生长两个阶段。这两个阶段的推动力都是溶液的过饱和度。过饱和度的大小直接影响成核和晶体生长过程的快慢,进而影响晶体的粒度分布。晶核的形成晶核的形成有三种形式:初级均相成核(在高过饱和度不稳定区自发生成晶核);初级非均相成核(溶液在外来物的诱导下生成晶核);二次成核(在含有溶质晶体的溶液中成核)。二次成核也属于非均相成核过程,又称次级成核。二次成核的机理是接触成核(晶体之间或晶体与其他固体物接触时晶体表面破碎生成晶核)和流体剪切成核(剪切作用将附着于晶体表面上的微粒扫落成核)。一般结晶过程要
2、尽量避免发生初级成核,而应以二次成核作为晶核的主要来源。晶体的成长晶体的成长可用液相扩散理论描述。根据此理论晶体的成长按如下三个步骤进行:扩散过程(溶质质点以扩散方式由液相主体穿过晶体表面静止液层转移至晶体表面);表面反应过程(溶质质点按一定的排列方式嵌入晶面,使晶体长大并放出结晶热);传热过程(将放出的结晶热传导至液相主体中)。对于大多数结晶物系,晶体成长多为表面反应控制。若想制备大颗粒晶体产品,需要避免初级成核,控制二次成核。这是工业结晶工艺开发和设备设计需要考虑的核心问题之一。过饱和度大小对成核和生长的定性分析见下图:控制成核的策略总结如下:维持稳定的过饱和度,防止结晶器在局部范围内,例
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 结晶 干货 _ 工业 过程 成核 控制 策略