1、集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC期中试题分析期中试题分析 集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC期中考试的总体情况参考人数 最高分908089707960696010194621172433%5.9420.79 16.83 23.76 32.67集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC评分说明 一、选择题（59 = 45）二、（36）1 6（2+2+2）2 5 3 5（2+2+1）4 4（2+2）5 46 6（3+3）7 6（3+3）三、（19）1 9（3+3+3）2 10（3+3+4） 集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC1. 图1电
2、路中，稳压管的稳定电压为8V，稳压管电流小于2mA时不能稳压。 为了使稳压管能起稳压作用，则负载电阻RL应大于【 】 A. 4K B. 1K C. 800 D. 667一、选择题：C集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 2. 当温度升高时，双极型晶体管的输出特性曲线将【 】 A. 整簇输出特性曲线上移，曲线间距增大 B. 整簇输出特性曲线上移，曲线间距减小 C. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距增大 D. 整簇输出特性曲线下移，曲线间距减小A 3. 某场效应管的转移特性如图2所示，该管是 A. N沟道增强型MOS管 【 】 B. N沟道耗尽型MOS管 C. P沟道增强型MOS管 D.
3、P沟道结型场效应管图 2B集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 4. 在图3所示的电路中，如空载时（即RL开路）调节Rb，使VCE = VCC/2，若ICEO，VCES均忽略不计。问接上负载RL后，逐渐加大输入信号VS，输出电压VO首先出现什么失真？【 】（A）截止失真（B）饱和失真（C）同时出现上述两种失真（D）交越失真A 5. 图3电路在正常工作时，若负载不慎发生短路（即RL=0），则通过晶体管的集电极电流iC将【 】（A）增大（B）过流而烧毁管子（C）不变（D）减小C集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 6. 在图3所示电路中，Ri为其输入电阻，Rs为常数，为使下限频
4、率fL降低，应【 】 A. 减小C，减小Ri B. 减小C，增大Ri C. 增大C，减小Ri D. 增大C，增大RiD集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 7. 图4为一场效应管电路和它的输出特性。已知VDS = 6 V。从图中可知： （1）静态电流ID应为 【 】 A 0.5mA；B 1mA； C 2mA；D 1.5mA。 （2）FET的互导gm应为【 】 A 2mA/V；B 0.5mA/V；C 1mA/V；D 1.5mA/V。DB集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC8. 为了使高输出电阻的放大电路与低电阻负载很好地配合，可以在放大电路与负载之间接入【 】 A. 共射电路
5、 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共射共集串接电路B集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC二、两级放大电路的参数如图5（A）所示，设晶体管T1、T2的1=2=50，VBE1=VBE2=0.7V，晶体管T1的rbe1=1K, 晶体管T2的rbb=114,试求： 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）； 2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向); 3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数； 4. 该放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ； 5. 放大电路的最大不失真输出电压； 6.设vi=10sint(mV)，在图（B
6、）上画出vO1，vO2的波形，并注明直流分量和交流分量的幅值大小； 7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 解 1. 第二级电路的静态工作点（IB2Q，IC2Q，VCE2Q）；精确计算集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC近似计算集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC2. 画出整个放大电路简化的微变等效电路(注意标出电压、电流的参考方向);集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC3. 放大电路的电压放大倍数和以及总的电压放大倍数；集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC4. 该放大
7、电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro ；集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC5. 放大电路的最大不失真输出电压；考虑截止考虑饱和集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 6. 设vi=10sint(mV)，在图（B）上画出vO1，vO2的波形，并注明直流分量和 交流分量的幅值大小；6.5 V9.8 mV8.7 V1.11 V集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC7. 设两级放大器的频率特性分别为： 画出整个放大电路总的对数幅频和相频特性。-20dB/十-40dB/十- 45 0 / 十- 45 0 / 十- 90 0 / 十集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC三、在图6所示电路中，已知电容C1、C2和Ce的容量足够大。晶体管的=100，VBE=0.7V，rbe=2.7K。 (1)估算电路的静态工作点（IBQ、ICQ和VCEQ）； (2)计算电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro和中频电压放大倍数集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC 解 (1) 估算电路的静态工作点（IBQ、ICQ和VCEQ）集成电子技术基础教程集成电子技术基础教程LDC (2) 计算电路的输入电阻Ri、输出电阻Ro和中频电压放大倍数
