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    大学课件集成电子技术基础教程习题与习题解答一篇1章.doc

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    大学课件集成电子技术基础教程习题与习题解答一篇1章.doc

    1、集成电子技术基础教程习题与习题解答第一篇 电子器件与电子电路基础 第一章 半导体二极管及其电路分析题1.1.1 已知二极管2AP9的伏安特性如图题1.1.1(a)所示。(1) 若将其按正向接法直接与1.5V电池相连,估计会出现什么问题?(2) 若将其按反向接法直接与30V电源相连,又会出现什么问题?(3) 分析二极管、稳压管在电路中常常与限流电阻相连的必要性。(4) 画出两只2AP9二极管 图题1.1.1(a)在:同向串联、反向串联、同向并联、反向并联四种情况下的合成伏安特性曲线。 图题1.1.1解:(1)烧杯二极管(2)反向击穿(3)串联电阻可以限制流过二极管或稳压管的电流超过规定值,使二极

    2、管或稳压管安全。(4)略题1.1.2 当用万用表电阻档测量二极管参见图题1.1.1(b),分析:(1) 所测得的电阻值是二极管的直流电阻还是动态(微变)电阻?(2) 设万用表内电池电压为1.5V,R10档的内阻Ri为240,R100档的内阻Ri=2.4k。试用图解分析法估算: a)用R10档测得的正向电阻值;b)用R100档测得的正向电阻值。从概念上说明, 为什么用不同电阻档测得的二极管正向电阻相差悬殊?解: (1)是二极管的直流电阻(2)在二极管的特性曲线上,作出两条负载线,负载线和特性曲线的交点求得V和I,然后求出这二档的电阻。VD=1.5-0.24ID (R10档)VD=1.5-2.4I

    3、D (R100档)由于万用表不同档的内阻不同,使流过二极管的电流相差较大,从而不同档时,测得二极管的正向电阻悬珠。题1.1.3 二极管的伏安特性曲线如图题1.1.3所示。(1) 二极管承受的反向电压VRM为多少?(2) 若温度升高20C,则二极管的反向电流IS应为多大?(3) 当温度升高20C时,定性画出变化后的伏安特性曲线。 图题1.1.3 图题1.1.4解: (1) 由图可知,二极管承受的反向电压VRM规定为实际击穿电压VB的一半,即VRM=40V; (2)在反偏的条件下,温度每增加10时,IS约增加1倍,所以温度增加20时,反向饱和电流IS约增加4倍。(3) 略题1.1.4 二极管的正向

    4、伏安特性曲线如图题1.1.4所示,室温下测得二极管中的电流为20mA。试确定二极管的直流电阻rD和动态电阻rd的大小。 解: 求出ID=20mA时的V0,然后用求得直流电阻。在过ID=20mA处,作一条切线,求切线斜率,可求得动态电阻rd。 题1.1.5 分析图题1.1.5电路中,各二极管是导通还是截止?并求出A、O两端的电压VAO(设D为理想二极管)。 图题1.1.5解: 根据二极管的单向导电性得(a) 电路:D1截止,VAO=-12V;(b) 电路:D1导电,D2截止,输出VAO=0V;(c) 电路:D2导电,D1截止,输出VAO=-4.5V;题1.1.6 二极管接成图题1.1.6所示的电

    5、路,分析在下述条件下各二极管的通断情况。(1) VCC1 =6V,VCC2=6V,R1=2k,R2=3k(2) VCC1 =6V,VCC2=6V,R1= R2=3k(3) VCC1 =6V,VCC2=6V,R1=3k,R2=2k设二极管D的导通压降VD=0.7V,求出D导通时电流ID的大小。 图题1.1.6 图题1.1.7解:(1) D导电,ID0.42mA;(2) D截止,ID0mA;(3) D截止,I=0mA;题1.1.7 图题1.1.7所示为桥式整流电路,设二极管为理想器件,变压器的原、副边绕组匝数比为n=N1/N2=11,变压器损耗不计,v1 =V1m sint = 220100tV。

    6、试回答下列问题:(1)画出v2、vO 和vD的波形;(2)求负载RL上的直流电压VO和直流电流IO ;(3)求二极管的平均电流ID和最大反向电压VRM 。解: (1) 波形略(2) 负载上电压V018V,I018mA(3)ID=IO/29mA,VRM28.2V题1.1.8 图题1.1.8电路中,设 vi =12sin tV,分别画出iD、vD和vO的波形(要求时间坐标对齐),并将二极管电流iD的峰值和其所承受的反向峰值标于图中(假定D为理想二极管)。 图题1.1.8题1.1.9 图题1.1.9(a)所示电路中,D1、D2为硅管,导通压降VD均为0.7V, 图题1.1.9图题1.1.9(b)为输

    7、入vA、vB的波形,试画出 vO的波形。题1.1.10 图题1.1.9电路中,输入端vA、vB如按下述各种方法连接:(1) vA接 + 2V,vB 接 + 5V;(2) vA接 + 2V,vB 接5V(3) vA悬空, vB接 + 5V;(4) vA 经3k电阻接地,vB悬空。试确定相应的输出vO =?。解: (1) V0=2.7V;(2) V0=-1.3V;(3) V0=5.7V;(4) V0=6.28V。题1.1.11 稳压值为7.5V和8.5V的两只稳压管串联使用时,可得到几种不同的稳压值?各为多少伏?设稳压管正向导通压降为0.7V。解: 可得到四种稳压值,16V,8.2V,9.2V,1

    8、.4V。题1.1.12 稳压管接成 图题1.1.12 所示电路。已知稳压管的稳压值为6V,在下述4种情况下:(1) VI =12V,R1=4K,R2=8k(2) VI =12V,R1=4K,R2=4k (3) VI =24V,R1=4K,R2=2k(4) VI =24V,R1=4K,R2=1k确定输出电压VO的值。 图题1.1.12 图题1.1.13解: (1) V0=6V (2)V0=6V(3)V0=6V(4)V0=48V题1.1.13 图题1.1.13所示电路中,设vi =(3+10sint)V,稳压管Dz1和Dz2的反向击穿电压分别为Vz1=5V,Vz2=7V正向压降为0.7V。试画出i

    9、Z 和vO的波形(要求时间坐标对齐)。题1.1.14 图题1.1.14所示电路中,稳压管2CW16具有下列特性:稳定电压9伏,耗散功率允许值250mW,稳压管电流小于1mA时不能稳压,且动态电阻不大于20 。试按电路中的参数计算:(1) 当RL=1k 时,电流IR、IZ、IL的大小;(2) 当电源电压VI变化20%时,VO最多变化几伏?(3) 稳压管在VI和RL变化至何值时功耗最大?其值是否已超过允许值?(V的变化范围不超过20%,RL可任意变化。)(4) 按照图中的参数,分析该电路在IL大于何值时将失去稳压能力?解: (1)IR21.6mA,IL9mA,IZ=12.6mA(2) V00.15V(3) 当V变化+20%和RL时稳压管的功耗最大。PZ(max)265mWPZ,超过允许值。(4) 当ILILmax=20.6mA时,失去稳压能力。 图题1.1.14题1.1.15 势垒电容和扩散电容的物理意义是什么?在正向或反向偏置条件下,应分别考虑哪一种电容效应为主?这些电容和一般的电容相比有什么特点?若将一般的整流二极管用作高频整流或高速开关,会出现什么问题?


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